Die Entwicklung von modernen Halbleiterbauelementen wird wesentlich durch Computersimulationen beeinflusst. Sowohl in der Entwurfsphase als auch in der Optimierungsphase werden Simulationen zur Nachbildung des Herstellungsprozesses und zur Beschreibung des elektrischen Verhaltens verwendet. Die fortschreitende Miniaturisierung höchstintegrierter Bauteile bedingt aber eine immer genauere Simulation der Dotierungsprofile und damit auch die Modellierung von speziell bei Kurzkanalstrukturen auftretenden physikalischen Phänomenen. Im Rahmen dieser Arbeit werden verschiedene Simulationsmodelle für Ionenimplantation und Diffusion präsentiert. Diese Prozessmodelle sind als Module in das Software Projekt VISTA (Viennese Integrated System of TCAD Applications) eingebunden. Der Hauptteil der Arbeit befasst sich mit der Entwicklung neuer Diffusionsmodelle, welche die speziellen Anforderungen von modernen Fertigungstechniken berücksichtigen. Für die Ausdiffusion von Dotierstoffen aus polykristallinem Silizium wurde ein Diffusionsmodell entwickelt. Dabei gelingt es, den Dotieratomen aufgrund der außerordentlich hohen Mobilität im polykristallinen Silizium in benachbarte Schichten zu wechseln.